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    激光溅射沉积系统

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    激光溅射沉积系统

    激光溅射沉积系统

    激光溅射沉积系统是一种利用激光对物体进行轰击,然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上,得到沉淀或者薄膜的一种手段。激光溅射沉积系统四个阶段:1、激光辐射与靶的相互作用;2、熔化物质的动态;3、熔化物质在基片的沉积;4、薄膜在基片表面的成核与生成。激光溅射沉积系统将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用。
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    脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统

    脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统

    Johnsen UltraVac超高真空系列产品

    Johnsen UltraVac超高真空系列产品

    • 品牌: 加拿大Johnsen Ultrava
    • 型号: E-Beam Evaporation System
    • 产地:加拿大
    • 供应商:QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司

      加拿大Johnsen Ultravac Inc.(JUV)公司成立于1961,以其优异的性能与表现在全球范围内赢得了良好的声誉,被誉为超高真空领域设备制造商中的“奥德赛”!多年来,JUV一直保持着极高标准,成功地将用户的要求转化为高 级的科研设备,同时也为科研、商业及工业等领域输出了大量的精密超高真空仪器。    JUV公司的核心是设计并制造超高真空腔体和系统,并已经成为全球超高真空产品的顶级供应商!从粒子加速线组件到超高真空线性传输设备、XYZ操作台和真空系统,都沉淀和蕴含了JUV公司丰富的经验和精确的设计加工能力。无论是用户定制产品,还是标准化的模块产品,JUV公司始终将了解客户的需要、回应他们提出的苛刻要求放在首位!目前,JUV公司的用户已经遍及了北美、欧洲和亚洲众多国家的科研机构和企业的实验室。从客户提出的概念到设计和加工,JUV一直引领着尖端超高真空系统、组件和设备的发展方向!粒子加速线组件   JUV提供了适用范围广泛的前端和例子加速线组件,可以满足不同的应用,包括: 真空系统  从概念的提出,到设计、加工和安装,Johnsen Ultravac公司的专业技术人员能根据用户的具体要求,设计制造出满足任何应用的系统。多年来积累的经验使Johnsen Ultravac为用户制造出配置复杂的腔体、快速进样室、样品传送装置、旋转台、升起/摆动机械装置、自动电子控制的水/气分配系统等。  在制造过程中,Johnsen Ultravac始终采用高纯度的材料,严格质量控制,使得系统的真空度好于10-11 torr。这些系统包括有:♦  混合等离子体喷射系统(Hybrid Plasma Spray System)♦  电子束蒸发系统(E-Beam Evaporation System)♦  电子回旋共振/电感耦合等离子体系统(ECR/ICP System)♦  激光沉积系统(Laser Deposition)♦  溅射系统(Sputtering System)♦  分子束外延真空系统(MBE Vacuum System) 1、混合等离子体喷射系统(Hybrid Plasma Spray System)  该系统由不锈钢支架和不锈钢双层水冷腔体组成,配备有:等离子体炬(Plasma Torch)、射频电源产生器(RF Power Generator)、配套的线路、衬底控制台、泵、离子规、过程控制系统等。•  射频或直流电感耦合等离子炬(RF/DC-ICP Torch)安装在腔体的顶端。等离子体通过混合气体,经电弧点燃而产生。•  沉积源一般为粉末或者液体,利用等离子体喷射引入到墙体中。当使用液体的时候,会形成纳米结构的镀层或沉积层,且成分变化较大。•  衬底的操作是利用6轴样品台进行的,样品可以进行高速旋转,加热的温度可达600℃。•  混合气体由一个气体配给系统提供,它可以同时混合四种气体,并配有流速控制单元、MFC 电源、LCD显示器、输气净化阀门和各种不锈钢气路接口。•  整个腔体由一个干泵和旋转增压泵组成,并配备了水冷前级吸收装置、空气过滤器、节流阀等。真空度由电容压力表和Pirani/压力传感器测得。•  计算机中加载的PLC/PC真空过程自动控制系统可以对泵气和等离子体沉积过程进行监控,操作简单。在生长过程中,过程保护锁可以保证用户在使用过程中,不会出现意外情况。   该系统采用模块化理念进行设计与生产的,完全能够满足用户日后的升级需要。    2、电子束蒸发系统(E-Beam Evaporation System)该系统采用2-真空腔设计,一键式操作,同时配有多个电子束蒸发源。存放有衬底的旋转木马位于主真空腔上方的快速进样室中,通过阀门与主真空腔隔开。在对快速进样室抽完真空后,打开阀门,即可将衬底对准电子束蒸发源。蒸镀完成后,关闭阀门,将快速进样室放气,即可取出样品,而主真空腔仍然保持较好的真空。  特点:♦  自动抽气和放气;♦  系统状态液晶显示面板;♦  从大气进入超高真空仅用时30分钟;♦  马达驱动的多样品旋转木马;♦  直径3 inch样品的均匀度好于±0.25%;♦  设备结构紧凑,操作方便,维护简单。   3、电子回旋共振/电感耦合等离子体系统(ECR/ICP System)  ECR/ICP系统可以同时对三个直径为2’’的样品进行处理,或者对一个5’’样品进行处理。主真空腔利用分子泵进行抽气,真空腔好于1×10-10mbar,可选配钛升华泵。该系统配有19’’电子单元安放支架和电源配给面板。 4、激光沉积系统(Laser Deposition)  该系统包括一个外径为10’’的圆柱形真空腔体,配有:分子泵、真空阀门、两个样品操作台、带开闭器的高纯蓝宝石观察窗、靶架(Target Holder)和衬底架。用户可以任意选择六个靶中的其中一个,将其沉积到直径为2-3’’的圆形衬底上。在激光沉积过程中,衬底可以进行加热。衬底通过快速进样室引入到主真空腔中。系统的真空度好于2×10-10Torr。 5、溅射系统(Sputtering System)  该系统主要包括:真空泵、RF电源、配套的线路、磁控管、气路、虹膜阀、真空规、可加热的样品架和放置电子单元所需的19’’支架。在圆柱形真空腔上装有三个、间隔为120度的2’’或3’’RF磁控管。用户可以任意将三个溅射源组合,并沉积到衬底上。  该系统为全金属结构,并用金属线将顶端和底部的法兰密封,真空腔的尺寸为18’’O. D. × 18’’ Height。 在底部金属线密封法兰的中心处,有一个外径为10’’的Conflat法兰,上面配有三个外径为2’’的RF磁控管,三个电磁阀、气路端口和水冷污染屏蔽罩。溅射枪能在4-5’’的靶衬底上,以100Å/min Fe速率进行沉积,样品的均匀度好于±2%。6、分子束外延真空系统(MBE Vacuum System)   分子外延系统包括了一个直径为24’’的多端口真空腔,内部配有LN2屏蔽罩,最多可以装载8个蒸发源。腔体的端口可以选配:观察窗、阀门、蒸发速率监控装置、RGA、RHEED、样品台、泵、真空规、传样杆等等。真空腔放置在一个不锈钢支架上,配有19’’电子单元安放支架和电源配给面板。真空腔体内部配备的加热器可以是整个腔体加热到250℃。 XYZ样品操作台(XYZ Manipulators)  Johnsen Ultravac XYZ样品台接口法兰的尺寸为外径2.75’’(波纹管内径1.5’’) ~ 外径13.25’’(波纹管内径10’’)。样品台坚固耐用,可以承受很大的重量,特别适用于表面化学和物理应用、MBE和操作与定位多样品等领域。 操作台 操作台-8axis   XY样品台可以作为独立的单元或者与线性移动装置联合使用。XYZ样品台使用不锈钢焊接,可以在10-10Torr真空中使用。针对不同使用条件的要求,我们可以提供: X&Y移动范围±0.50’’---±4.00’’可加热温度1200℃波纹管内径1.39’’---12.00’’LN制冷温度-160℃基座法兰外径2.75’’---14.00’’LHe制冷温度10K极坐标旋转360度衬底基片尺寸≤300mm方位角旋转±180度承载重量225kg (4000系列产品)倾斜±30度    线性移动装置   我们提供了应用到各种条件下的线性移动装置 1000型系列产品该系列特别适用于快速进样室、样品制备室、放置台和样品处理台,它很容易地改装成多样品的托架。1000型产品采用聚四氟乙烯轴承支撑的齿条-小齿轮传动装置,齿条的材料为不锈钢经电子抛光加工而成。连接终端可自由调节,灵活性强。  2000型系列产品2000型线性移动装置采用挤压铝材料经阳极化抛光制成,可以烘烤到250℃。波纹管法兰的尺寸为2.75’’、3.38’’和4.50’’。Z方向上的移动采用了不锈钢ACME螺丝-铜螺母驱动,并由不锈钢导杆支撑,每旋转一周,Z方向上将移动5mm。用户可以选配气压缸组件来驱动Z方向上的移动。2000型可以用于样品的转移和处理过程中,具有加热和冷却、马达驱动、旋转平台和XY平台等功能与配置,且用户可以自由选择垂直或水平安放。3000&4000型系列产品该系列产品采用高等级的铝材料经阳极化抛光而制成的,可以烘烤到250℃。坚实的结构使得该产品具有最强的承重能力,并可垂直或水平安放。Z方向上的位置的准确性为0.1mm,每旋转一周,Z方向上将移动1mm。超高真空腔   Johnsen Ultravac公司的超高真空腔有很多种配置,可以提供适合用户各种特殊要求和性能的腔体。  Johnsen Ultravac公司生产的超高真空腔体性能优异。在腔体的制造过程中,JUV的工程师们特别重视消除任何可能的漏气现象,腔体的真空度都能好于10-11Torr。每一个端口都经过精心的校准,确保它们能够准确的装载各种配件。在进行切削加工时,特别注意避免腔体遭到各种材料的污染;在完成切削后,所有的部分会被仔细清洗,并在超净间中进行焊接;最 后,在完成端口位置的再一次确认后,超高真空腔体才会进行最 后的清理与包装。 真空腔主要技术参数:• 腔体漏率小于2×10-10atm cc/sec• 0.5%端口对准• 玻璃球抛光• 7步清洗过程可选:• MU金属内层作为磁屏蔽罩• 不锈钢内层,用于沉积系统• 电镀抛光• 水冷• 低温保持器隔热罩 

    Picosun 原子层沉积系统  R-200 Advanced

    Picosun 原子层沉积系统 R-200 Advanced

    • 品牌: 芬兰Picosun
    • 型号: PICOSUN™ R-200 Advanced
    • 产地:芬兰
    • 供应商:北京正通远恒科技有限公司

      PICOSUN™ R系列ALD产品能够沉积高质量薄膜,即使衬底结构十分复杂,如多孔材料、高深宽比的沟槽或者纳米颗粒, 沉积的薄膜均匀性也极其优异。

    Picosun 原子层沉积系统 P-300 Pro

    Picosun 原子层沉积系统 P-300 Pro

    • 品牌: 芬兰Picosun
    • 型号: PICOSUN™ P-300 Pro
    • 产地:芬兰
    • 供应商:北京正通远恒科技有限公司

      PICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了最大的产出效率,并且具有世界级的工艺纯度和薄膜均匀性,甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。

    激光分子束外延镀膜系统

    激光分子束外延镀膜系统

    • 品牌: 英国Hiden Analytical
    • 型号: PLD MBE
    • 产地:英国
    • 供应商:北京英格海德分析技术有限公司

      产品简介激光分子束外延镀膜系统PLD MBE激光分子束外延镀膜系统的主体是一个UHV激光分子束外延装置。使用准分子激光进行基底加热;脉冲激光做为幅照源。使用两个组合的掩膜和一个扫描式的反射高能电子衍射(RHEED)设备,系统能同时制备很多样品(250个/10mm2)。每个样品都是原子级的控制,可以设置不同的生长条件。在UHV中使用激光辐照的组合的掩模和靶材。  这个组合膜沉积的概念,是由于使用分离的基底、小区域的掩模和每个样品不同的生长参数导致的沉积条件的系统变化。最显著的贡献就是可以快速地筛选生长条件。功能特点精准层蔽控制原子层外延膜结构或形态均匀或梯度的快速振荡信号需依成膜条件和成膜品质专业LabView提供全自动制程数字控制9项日本专利、3个国际专利技术参数激光加热:            温度 >1000℃)高压可操作:          ~133Pa6种靶材的公转和自转镀膜腔真空度:        ~5e-9TorrLoad-Lock腔:         ~5e-7 Torr 可放置两个样品以及四个靶材全自动数字控制

    Picosun 原子层沉积系统 R-200 Standard

    Picosun 原子层沉积系统 R-200 Standard

    • 品牌: 芬兰Picosun
    • 型号: PICOSUN™ R-200 Standard
    • 产地:芬兰
    • 供应商:北京正通远恒科技有限公司

      Picosun功能强大、易更换的固、液、气态前驱体输运系统确保可以在硅平面基片,3D复杂基片及所有纳米尺度的特征器件上制备无颗粒的薄膜

    Picosun 原子层沉积系统 P-1000 Pro

    Picosun 原子层沉积系统 P-1000 Pro

    • 品牌: 芬兰Picosun
    • 型号: PICOSUN™ P-1000 Pro
    • 产地:芬兰
    • 供应商:北京正通远恒科技有限公司

      PICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了最大的产出效率,并且具有世界级的工艺纯度和薄膜均匀性,甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。

    原子层沉积设备  P-300 Advanced

    原子层沉积设备 P-300 Advanced

    • 品牌: 芬兰Picosun
    • 型号: PICOSUN™ P-300 Advanced
    • 产地:芬兰
    • 供应商:北京正通远恒科技有限公司

      PICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了最大的产出效率,并且具有世界级的工艺纯度和薄膜均匀性,甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。

    美国SVT 脉冲激光沉积设备/PLD

    美国SVT 脉冲激光沉积设备/PLD

    • 品牌: 美国SVT Associates
    • 型号: PLD-01/PLD-02
    • 产地:美国
    • 供应商:美国SVTA公司中国办事处

      ●SVT SMART(Scientific Materials and Applied Research Tool)脉冲激光沉积系统具有独一无二的优越性。它可以把激光烧蚀技术和我们所拥有的其他沉积技术(如RF源)集成于一台设备上。可以生长各种可能的材料。●配有6个旋转靶台,实现多层薄膜结构生长。●可与准分子激光和Yag激光相连。●在线监控仪器做为可选件,为客户提供高质量的工艺信息反馈。●装载室不但可以装取样品,还可以与其他生长设备或分析设备相连。 应用●多元素复合氧化物●高温超导材料●磁性材料、金属材料●低蒸汽压材料●MEMS 基本系统腔室及真空泵 12’’ 快速门,250l/s 分子泵,全量程规沉积源 靶台,6X1’’(25mm) 靶,可以水平旋转,可Z方向移动样品台 1’’(25mm)大小,可加热至800oC(1000oC可选),可水平旋转,可Z方向移动在线工艺监控 石英晶振沉积速率监控仪自动化自动化装置: 控制样品温度和旋转 靶台的位置控制 靶台旋转 气体控制 速率及厚度计算(利用QCM输出) 激光束扫描(可选) 激光束屏蔽控制 自动泵抽和充气 差分泵抽结构 RHEED分析(可选) 装载室压强监控(可选)主要特点RF射频等离子源(氧,氮)升级高真空增加进样室升级为Laser-MBE (L-MBE)系统自动软件控制 提供更洁净的薄膜生长环境,完美的温度控制解决方案.

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