供应商：北京英格海德分析技术有限公司

产品简介激光分子束外延镀膜系统PLD MBE激光分子束外延镀膜系统的主体是一个UHV激光分子束外延装置。使用准分子激光进行基底加热；脉冲激光做为幅照源。使用两个组合的掩膜和一个扫描式的反射高能电子衍射（RHEED）设备，系统能同时制备很多样品（250个/10mm2）。每个样品都是原子级的控制，可以设置不同的生长条件。在UHV中使用激光辐照的组合的掩模和靶材。　　这个组合膜沉积的概念，是由于使用分离的基底、小区域的掩模和每个样品不同的生长参数导致的沉积条件的系统变化。最显著的贡献就是可以快速地筛选生长条件。功能特点精准层蔽控制原子层外延膜结构或形态均匀或梯度的快速振荡信号需依成膜条件和成膜品质专业LabView提供全自动制程数字控制9项日本专利、3个国际专利技术参数激光加热：            温度 >1000℃)高压可操作：          ~133Pa6种靶材的公转和自转镀膜腔真空度：        ~5e-9TorrLoad-Lock腔：         ~5e-7 Torr 可放置两个样品以及四个靶材全自动数字控制

供应商：北京正通远恒科技有限公司

PICOSUN™ R系列ALD产品能够沉积高质量薄膜，即使衬底结构十分复杂，如多孔材料、高深宽比的沟槽或者纳米颗粒, 沉积的薄膜均匀性也极其优异。

供应商：北京正通远恒科技有限公司

PICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了最大的产出效率，并且具有世界级的工艺纯度和薄膜均匀性，甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。

供应商：北京正通远恒科技有限公司

PICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了最大的产出效率，并且具有世界级的工艺纯度和薄膜均匀性，甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。

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PICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了最大的产出效率，并且具有世界级的工艺纯度和薄膜均匀性，甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。

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Picosun功能强大、易更换的固、液、气态前驱体输运系统确保可以在硅平面基片，3D复杂基片及所有纳米尺度的特征器件上制备无颗粒的薄膜

供应商：美国SVTA公司中国办事处

●SVT SMART（Scientific Materials and Applied Research Tool）脉冲激光沉积系统具有独一无二的优越性。它可以把激光烧蚀技术和我们所拥有的其他沉积技术（如RF源）集成于一台设备上。可以生长各种可能的材料。●配有6个旋转靶台，实现多层薄膜结构生长。●可与准分子激光和Yag激光相连。●在线监控仪器做为可选件，为客户提供高质量的工艺信息反馈。●装载室不但可以装取样品，还可以与其他生长设备或分析设备相连。 应用●多元素复合氧化物●高温超导材料●磁性材料、金属材料●低蒸汽压材料●MEMS 基本系统腔室及真空泵 12’’ 快速门，250l/s 分子泵，全量程规沉积源 靶台，6X1’’(25mm) 靶，可以水平旋转，可Z方向移动样品台 1’’(25mm)大小，可加热至800oC（1000oC可选），可水平旋转，可Z方向移动在线工艺监控 石英晶振沉积速率监控仪自动化自动化装置： 控制样品温度和旋转 靶台的位置控制 靶台旋转 气体控制 速率及厚度计算（利用QCM输出） 激光束扫描（可选） 激光束屏蔽控制 自动泵抽和充气 差分泵抽结构 RHEED分析（可选） 装载室压强监控（可选）主要特点RF射频等离子源(氧,氮)升级高真空增加进样室升级为Laser-MBE （L-MBE）系统自动软件控制 提供更洁净的薄膜生长环境,完美的温度控制解决方案.